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AlN薄膜

簡要描述：AllN Epitxial范本saphhire提出了氫化物氣相外延（HVPE）的方法。氮化鋁薄膜又是成本效益的方法，用來取代氮化鋁單晶襯底?？凭д嬲\歡迎您的垂詢！

  • 產(chǎn)品型號：
  • 廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間：2025-02-10
  • 訪  問  量：2824

詳細(xì)介紹

產(chǎn)品名稱：

氮化鋁(AlN)薄膜

產(chǎn)品簡介：

AllN Epitxial范本saphhire提出了氫化物氣相外延（HVPE）的方法。氮化鋁薄膜又是成本效益的方法，用來取代氮化鋁單晶襯底?？凭д嬲\歡迎您的垂詢！

技術(shù)參數(shù)：

尺寸

 dia50.8mm±1mm

藍(lán)寶石襯底取向

 c軸（0001)±1.0deg

襯底：

 Al2O3;SiC;GaN

薄膜厚度：

10-5000nm

導(dǎo)電類型：

 半絕緣型

位錯(cuò)密度：

XRD FWHM of <0002><500arcsec;

XRD FWHM of <10-12><1500arcsec;

有效面積：

>80%

拋光：

單拋光


  產(chǎn)品規(guī)格：


氮化鋁(藍(lán)寶石襯底)：dia2"*1500nm±10%


注：可根據(jù)客戶需求定制特殊的方向和尺寸。

標(biāo)準(zhǔn)包裝：

1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝


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Sapphire

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